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手艺前沿 | 薄膜铌酸锂引领高速传输新时代
AI数据中心主要依赖400G及以上高速光� ？� ，硅光DR� ？槌晌髁� ，面临提升调制器带宽和效率的挑战 ，薄膜铌酸锂调制器成为未来高速率光� ？榈那痹诮饩黾苹�。
AI数据中心的应用需求基本都是400G及以上的高速光� ？� ，光� ？樗俾实奶嵘孕酒拇硪笤嚼丛礁�。现在400G以上速率的光� ？橛泄韫夂妥杂煽占涔饬街质忠占苹� ，其中硅光的DR� ？槭窍衷诘闹髁骷苹�。
光� ？榈拇渌俾嗜【鲇诘髦破鞫怨庑藕诺牡髦扑俾� ，速率越高 ，调制器的带宽就需要越大。直调的DFB芯片的带宽在速率凌驾50Gbps之后很难提升 ，只能通过EML外调制来提升。可是EML芯片的制品率低 ，工艺制作难度大 ，本钱高昂始终是个禁止忽视的问题。在古板的自由空间光封装中 ，需要LD与Driver的带宽同时提升才华知足高速率的使用要求 ，在高速率应用中是个手艺攻关与本钱攻克难题。
硅光计划可以完善解决这个问题 ，关于多通道并行计划的封装 ，硅光的调制器速率在100G以内是足够用的 ，只需要外部增添一个DFB的大功率光源即可 ，调制功效由硅光PIC的调制器实现 ，DFB的芯片也不需要对调制带宽有过高的要求。并且硅光PIC的制作工艺与CMOS平台完全兼容 ，可以大规模批量生产。
目今 ，400G/800G光� ？橐谎匠＝幽晒韫獾髦破骰駿ML激光器计划 ，可知足单波最高速率100Gbps的需求。硅光调制器带宽和电吸收调制器功耗的限制 ，实现单波200Gbps数据速率保存较大挑战 ，需要攻克调制器带宽和效率提升手艺 ，以知足下一代1.6T及以上光� ？榈氖忠盏枨�� ？稍ぜ狭砍墒斓奶婊患苹潜∧ゎ晁犸髦破� ，具有更高的带宽潜力和调制效率 ，在主干相关通讯网络中已实现规�；τ�。针对短距离光� ？橛τ� ，薄膜铌酸锂调制器的性能完万能支持800G、1.6T及更高速率光� ？�。
高速率调制器生长应用
